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光電傳感器的物理基礎(chǔ)構(gòu)造

   光電傳感器的物理基礎(chǔ)是光電效應(yīng),即光可以改變半導(dǎo)體材料的許多電學(xué)性質(zhì)。光電效應(yīng)通常分為兩類,即外部光電效應(yīng)和內(nèi)部光電效應(yīng)。外部光電效應(yīng)是指物質(zhì)吸收光子和激發(fā)自由電子的行為。當(dāng)金屬表面受到特定光照射時,金屬吸收光子并產(chǎn)生電子,即光電子。

  在發(fā)射電子之前,光的波長必須小于某一特定臨界值(等于大于某一特定臨界值的光的頻率)。臨界值是截止頻率和截止波長。從E≥W,如果入射光子的能量h大于功函數(shù)W,一些光電子在離開金屬表面后仍有能量殘留,這意味著一些光電子具有一定的動能。由于不同的電子需要不同的功才能與給定的金屬分離,它們在吸收光子能量和逃離金屬主圖1之后有不同的能量。
 
  由于功函數(shù)W是從金屬中除去電子所必須做的最小功,如果用E來表示具有最大動能的光電子的動能,則存在以下關(guān)系式E=hn-W(其中h表示普朗克常數(shù),N表示入射光的頻率),這通常稱為愛因斯坦光電效應(yīng)方程。
 
  當(dāng)光在離表面非常近的PN結(jié)處輻射時,如果光的能量足夠大,并且光子的能量大于帶隙,電子就可以從價帶轉(zhuǎn)移到半導(dǎo)體材料的傳導(dǎo)帶。能帶可以變成自由電子,價帶可以變成自由空穴。在PN結(jié)內(nèi)部電場的作用下,這些電子和空穴對被推出N區(qū),使N區(qū)為負(fù),P區(qū)為正。這樣,N區(qū)和P區(qū)之間就有了潛在的差別,因此在PN結(jié)的兩側(cè)產(chǎn)生了光電電勢。
 
  光阻的原理是基于光電導(dǎo)的影響:當(dāng)沒有光時,光敏電阻具有很高的電阻值。當(dāng)有光時,當(dāng)光子的能量大于材料的帶隙時,價帶中的電子吸收光子的能量。在向?qū)н^渡后,電子空穴成對激發(fā)可以導(dǎo)電,減小電阻值。光停止后,自由電子和空穴結(jié)合,電導(dǎo)率降低,電阻恢復(fù)到原來的值。
 
  由于光電效應(yīng)僅限于輻照表面的薄層,所以半導(dǎo)體材料通常被制成薄膜,并給予足夠的電阻。電電平是梳狀的,使得光敏電阻電極和載流子通過電極的距離縮短了一段時間。而且材料載體的壽命相對較長,因此它具有較高的內(nèi)增益以獲得高靈敏度。光電傳感器將非電信號轉(zhuǎn)換為要測量的電信號。